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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS RF BIPO NPN 10MA TSLP-3-9射频双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Infineon Technologies BFR 705L3RH E6327- |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bfr705l3rh.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b291f205c5&fileId=db3a30431400ef680114273c1e8a0704 |
产品型号 | BFR 705L3RH E6327 |
PCN过时产品 | |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 7mA,3V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
供应商器件封装 | PG-TSLP-3 |
其它名称 | BFR705L3RHE6327INDKR |
功率-最大值 | 40mW |
功率耗散 | 40 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Infineon Technologies |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz |
增益 | 25dB |
安装类型 | 表面贴装 |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-101,SOT-883 |
封装/箱体 | TSLP |
工厂包装数量 | 15000 |
技术 | SiGe |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | Bipolar |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 4.7V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 10mA |
类型 | RF Silicon Germanium |
配置 | Single |
零件号别名 | BFR705L3RHE6327XT |
频率-跃迁 | 39GHz |