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  • 型号: BFR 705L3RH E6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BFR 705L3RH E6327由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFR 705L3RH E6327价格参考。InfineonBFR 705L3RH E6327封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BFR 705L3RH E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFR 705L3RH E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS RF BIPO NPN 10MA TSLP-3-9射频双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Infineon Technologies BFR 705L3RH E6327-

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/bfr705l3rh.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b291f205c5&fileId=db3a30431400ef680114273c1e8a0704

产品型号

BFR 705L3RH E6327

PCN过时产品

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不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

160 @ 7mA,3V

产品目录页面

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产品种类

射频双极晶体管

供应商器件封装

PG-TSLP-3

其它名称

BFR705L3RHE6327INDKR

功率-最大值

40mW

功率耗散

40 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

Infineon Technologies

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz

增益

25dB

安装类型

表面贴装

封装

Reel

封装/外壳

SC-101,SOT-883

封装/箱体

TSLP

工厂包装数量

15000

技术

SiGe

晶体管极性

NPN

晶体管类型

Bipolar

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

4.7V

电流-集电极(Ic)(最大值)

10mA

类型

RF Silicon Germanium

配置

Single

零件号别名

BFR705L3RHE6327XT

频率-跃迁

39GHz

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